首页 | 供应信息 | 求购信息  | 下载系统 | 技术资讯 | 企业信息 | 产品信息 | 论文信息 | 展会信息 | 在线工具
作者: 发布时间:2014-10-10 来源:EEWORLD关键字:MSP430G,Flash,擦写,嵌入式 繁体版
摘要 在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM

摘要

    在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。

1. 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比

    电可擦除和编程只读存储器(EEPROM)是在绝大多数嵌入式应用中都会使用到的用于保存非易失性数据的关键器件,用于在程序运行期间保存数据。Flash 闪存(Flash Memory,简称为"Flash")是一种非易失性( Non-Volatile )存储器,广泛应用于各种嵌入式处理器中,用于存储程序代码。

    由于硬件成本原因,在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块,通常我们可以采用在片内Flash 存储器中保存非易失性数据的应用方式来达到使用要求。对一些普通的应用场合,这种使用方式可以满足要求。

表一 EEPROM与Flash 对比分析

特性

EEPROM

MSP430G 系列Flash

写时间

几个ms

随机字节写:5 到10 ms

页写: 100μs每字 (5 to 10 ms 每页 )

字节写:30 个Flash 操作时钟

周期,典型数据70us

擦除时间

N/A

页擦除:4819 个Flash 操作时

钟周期,典型数据10ms

全部擦除:10593 个Flash 操作

时钟周期,典型数据20ms

擦写方法

一旦启动写动作,不依赖CPU,

但需要持续的电源供给


提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的方法- MSP430G,Flash,擦写,嵌入式 -
 1/5    1 2 3 4 5 下一页 尾页
评论】【加入收藏夹】【 】【关闭
※ 相关信息
无相关信息
※ 其他信息
访问数: | 共有条评论
发表评论
用户名:
密码:
验证码: 看不清楚,点击刷新
匿名发表

Autooo.Net 版权所有
Copyright © 2007--2014 All rights reserved