2017-05-02 20:36:38

近日,紫光集團董事長趙偉國對公司的未來發展提出了兩大目標:一是希望到2020年時,能在移動芯片領域大幅縮小與全球兩大手機芯片商高通和聯發科的距離;二是紫光要在十年內躍身成為全球前五大存儲器製造商。

對於紫光而言,第一個目標的實現相對來說比較容易,畢竟自收購此前在美國上市的展訊和銳迪科之後,紫光在手機芯片設計領域的成就是有目共睹的。

不過,作為存儲器市場的“新人”,紫光一直屬於追趕者,但經過近幾年來的戰略布局,紫光在存儲器領域的發展成功引起了業內的關注,盡管實現全球前五的目標難度不小,但也不是不可能。那麼,趙偉國離這一夢想的實現究竟還有多遠呢?

對外並購受阻 內部整合加速

從此前的國內發展到逐漸在全球市場上嶄露頭角,再到如今的多起行業並購,近年來,紫光為發展集成電路產業開啟了高速擴張模式,“買買買”的發展戰略也受到業界高度關注。

不過,隨著收購存儲器大廠美光、入股硬盤大廠西部數據、入股台灣封測廠商力成、矽品和南茂這一係列投資並購案的悉數破局,紫光的對外並購投資策略頻頻受阻。

1493389321403091123.png

Source:全球半導體觀察

但這並不影響紫光發展存儲器產業的決心,不僅於2016年9月與西部數據成立了合資企業紫光西數,進軍大數據存儲領域,同時還加速了紫光係內部資源的整合。

事實上,今年3月份,紫光間接控股子公司紫光國芯就曾以4836萬元的價格收購了國內具有世界主流大容量存儲器核心設計開發技術公司西安華芯半導體公司(現已更名為“西安紫光國芯”)24%的股權。

4月中旬,紫光係內部整合計劃再次發布,紫光國芯宣布擬以發行股份的方式收購紫光旗下子公司長江存儲全部或部分股權。

短短幾個月時間,紫光係已經先後宣布了兩項內部整合計劃,且都是在存儲器領域,無疑,這樣的整合方式有利於紫光在存儲器領域攥緊成拳、形成合力。

技術產能全力追趕

由於具備性能和成本優勢,目前3D 堆疊技術備受業內追捧,已經逐漸發展成為NAND Flash領域的主流製程。

大部分原廠也開始將產能從2D 轉向 3D,包括三星、東芝/西數、SK海力士等在內的國際大廠,都已量產48層堆疊3D NAND Flash產品,但在更高堆疊層數的研發上,隻有SK海力士發展較為迅速,已經研發出72層3D NAND Flash產品。

東芝/西數陣營的64層3D NAND Flash產品預計最快也要到今年5月底才能量產,三星64層產品則要到今年7月才能進入生產階段。至於美光,目前該廠商的3D NAND Flash產品仍以32層堆疊為主,產出比重超過50%。

紫光作為國內存儲器產業發展的龍頭,自然也不會錯過這次機會。事實上,在3D NAND Flash的技術研發方麵,紫光的起點雖然較低,但速度還是較快。

有消息稱,長江存儲計劃在今年年底提供32層堆疊3D NAND Flash閃存樣品,然後繼續開發64層堆疊。

而在產能擴張方麵,紫光更是毫不“手軟”。

2016年7月,紫光將當時承擔國內NAND Flash拓荒重任的武漢新芯納入麾下,並且成立了長江存儲。其中包括建造3座全球單座潔淨麵積最大的3D NAND Flash工廠,預計到2020年實現月產能30萬片12寸晶圓,到2030年月產能提升至100萬片。

此後,紫光開始大刀闊斧地投資建廠,董事長趙偉國曾在“2016年十大經濟年度人物”頒獎典禮上表示,今年將在成都和南京打造兩座半導體產業基地,總投資規模達460億美元。

資料顯示,南京半導體項目建成後將主要用於3D NAND Flash以及DRAM存儲器芯片的生產,首期投資約為100億美元,規劃月產能10萬片每月。

至於成都方麵,4月22日,紫光總投資不低於2000億元的IC國際城項目已經正式落戶成都天府新區,其中就包括200億美元左右的12寸晶圓廠,雖然目前尚不清楚該工廠的具體用途,但從紫光近期的發展布局來看,很有可能也是用於3D NAND Flash產品的生產。

此外,在人才計劃方麵,紫光已經向全球存儲器高端、專業人才發出了招募計劃,包括前華亞科董事長高啟全、總經理梅國勳、聯電前CEO孫世偉等在內的行業大咖都已經加盟紫光。

所以,綜合來看,不管是從產業布局,還是技術研發,紫光都已經拿到了與國際大廠PK的入場券,至於能否實現十年內進入全球存儲器前五的目標,還需拭目以待。


第1頁  

http://www.autooo.net/autooo/elec/tech/2017-05-02/172093.html